[KtN 박준식기자] 삼성전자가 업계 최고 동작 속도인 10.7Gbps를 자랑하는 LPDDR5X D램 개발에 성공, 저전력 및 고성능 D램 시장에서의 기술 리더십을 다시 한번 확인했다. 이번 성과는 인공지능(AI) 시장의 본격적 활성화와 함께 기기 내 AI 구동의 필요성이 커지는 시점에서 매우 시의적절하다.

이번에 개발된 LPDDR5X D램은 12나노급 제조 공정을 통해 구현된 가장 작은 칩으로, 온디바이스 AI 시대에 최적화된 저전력 및 고성능 메모리 솔루션을 제공한다. 이는 모바일 분야뿐만 아니라 AI PC, AI 가속기, 서버, 전장 등 다양한 분야로의 적용 가능성을 넓히며, 전 세대 제품 대비 성능 25%, 용량 30% 이상 향상된 것이 특징이다.

특히, 삼성전자는 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 ‘전력 가변 최적화 기술’과 ‘저전력 동작 구간 확대 기술’을 적용하여 전 세대 제품 대비 소비 전력을 약 25% 개선하였다. 이는 모바일 기기 사용자에게 더 긴 배터리 사용 시간을 제공하고, 서버의 데이터 처리 비용을 줄이는 등 총 소유 비용(TCO) 절감에 기여할 것으로 기대된다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 “저전력, 고성능 반도체의 수요가 증가하면서 LPDDR D램의 응용처가 모바일에서 서버 등으로 확대될 것”이라며, “삼성전자는 앞으로도 고객과의 긴밀한 협력을 통해 온디바이스 AI시대에 최적화된 솔루션을 제공하며 혁신을 지속할 것”이라고 말했다.

이번 신제품 LPDDR5X D램은 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체와의 협업을 통해 제품 검증 후 하반기에 양산을 시작할 예정이다. 삼성전자의 이번 개발 성공은 온디바이스 AI 시대의 문을 여는 중요한 발판이 될 것으로 평가된다.